Ohms lag
`V = Ri`Växel till likström (RMS)
`V_(dc) = V_(ac)/sqrt(2)`Strömdelare
`i_x = (R_T)/(R_x+R_T)*i_T`Spänningsdelare
`V = (R_2)/(R_1+R_2)*V_s`Parallella motstånd
`R_T = (R_1*R_2)/(R_1+R_2)`Power (likström)
`P = Vi`Reactive power
`P = V_(rms)*I_(rms)*Sin(theta)`Average power
`P = V_(rms)*I_(rms)*Cos(theta)`Apparent power
`P = V_(rms)*I_(rms)`Power Factor
`cos(theta)`Complex Power[VA]
`hat s = P + jQ`Resonansfrekvens
`f_0 = 1/(sqrt(LC)2pi)`Kvalitetsfaktor
`Q_s = (2pi f_0 L)/R`Q-faktor
`Q = f_0/B`Bandbredd
`B = f_0/Q_s = R/(2piL)`Impedans (induktor)
`Z_L = j 2pi f_0 L`Impedans (kondensator)
`Z_C = -j 1/(2pi f_0 C)`Relation mellan dB och värde
`|H(omega)|_(dB) = 20 log_(10)(|H(omega)|)`Parallell: Samma ändpunkter.
Serie: Sammankopplade i en kedja
Namn | Prefix | Tiopotens |
---|---|---|
Giga | G | `10^12` |
Mega | M | `10^6` |
Kilo | k | `10^3` |
Milli | m | `10^-3` |
Mikro | µ | `10^-6` |
Nano | n | `10^-9` |
Piko | p | `10^-12` |
Thevinin[V]/Norton[I]
`R_t = V_(OC)/I_(SC)`Polär form till rektangulär form
`r*e^theta = a+bj; a = r*cos(theta); b = r*sin(theta)`Rektangulär till polär form
`a+bj = r*e^theta; r = sqrt(a^2+b^2) theta = tan^-1(b/a)`Vinkelfrekvens
`omega = (2pi)/T = 2pi f`Spänning[V]
`V_L(t) = L (di)/(dt) = V_s e^(-t/tau)`Impedans [Ω]
`Z_L = jomegaL`Total induktans[H]
Parallell: `L_t=1/(1/L_1+1/L_2)` Serie: `L_t=L_1+L_2`Ström[A]
`i(t)=V_s/R(1-e^(-t/tau))`Spänning med spänningskälla[V]
`V_c(t) = V_s-V_s e^(-t/tau)`,Spänning utan spänningskälla[V]
`V_c(t) = V_ie^(-t/tau)`Energi [J]
`w(t) = 1/2C*V^2(t)`Impedans[Ω]
`Z_c = 1/(jomegaC)`Ström relativt spänningen över en kondensator[A]
`i_c(t) = C(dv)/(dt)`Total kapacitans[F]
Parallell: `C_t=C_1+C_2`Första ordningens lågpassfilter
`H(f) = 1/(1+j(f/f_B)) = V_(o u t)/V_(i n)`Första ordningens högpassfilter
`H(f) = (j(f/f_B))/(1+j(f/f_B)) = V_(i n)/V_(o u t)`Kapacitans relativt laddning och spänning
`C=q/V`Thermal Voltage
`V_T = (kT)/q ~= 0.026` då `T = 300`Ström genom en transistor (Shockley equation)
`i_D = I_s[exp(v_D/(nV_t))-1]`Illustration av förstärkare och input-voltage
Input voltage
`V_i = R_i/(R_i+R_s)*V_s`Output voltage
`V_o = R_L/(R_o + R_L)*A_(v o c)V_i`Förstärkning relativt source
`A_(vs) = V_o/V_s`Förstärkning relativt input-voltage
`A_v = V_o/V_i`Current gain
`A_i = I_o/I_i = (v_o/R_L)/(v_i/R_i) = A_v R_i/R_L`Power gain
`G = P_o/P_i = (V_oI_o)/(V_iI_i) = A_vA_i = (A_v)^2 R_i/R_L`Amplifier type | `R_i` | `R_o` | Gain |
---|---|---|---|
Voltage | `oo` | `0` | `A_(v o c)` |
Current | `0` | `oo` | `A_(i s c)` |
Transconductance | `oo` | `oo` | `G_(m s c)` |
Transresistance | `0` | `0` | `R_(m o c)` |
Förstärkare i serie (cascade connection)
Obs! Glosa för kondensator/induktor
Parallell impedans[Ω]
`Z_t = 1/(1/Z_1+1/Z_2)`Seriell impedans[Ω]
`Z_t=Z_1+Z_2`Differential signal
`v_(id) = v_(i_1) - v_(i_2)`Differential gain
`v_o = A_d v_(id)`Common mode signal
`v_(i c m) = 1/2(v_(i_1) + v_(i_2))`Common-Mode Rejection Ratio
`v_o = A_d v_(id) + A_(cm) v_(i c m)`Common-mode rejection ratio
`CMR R = 20*log_10(|A_d|/|A_(cm)|)`Voltage follower
MOSFET regioner
Region | Villkor |
---|---|
Triode region | `V_(DS) < V_(GS) - V_(t o) ^^ V_(GS) >= V_(t o)` |
Saturation region | `V_(GS) >= V_(t o) ^^ V_(DS) >= V_(GS) - V_(t o)` |
Cutoff region | `i_D = 0 iff V_(GS) < V_(t o)` |
Voltage från en sensor
`V_in = V_(bb"sensor") R_(i n)/(R_(i n)+R_(bb"sensor"))`Samlingsteoremet
För att bevara all information bör samlingsfrekvensen vara `f_s > 2*f_(max)`Antal bitar för noggrann mätning
`n = Log(p)/Log(2)`